晶圓摻雜物對(duì)氧化速率有什么影響？

       用來(lái)制造芯片的晶圓都是經(jīng)過(guò)摻雜的，另外在以后的工藝中，還要用熱擴(kuò)散或離子注入工藝完成摻雜。那么摻雜元素和濃度對(duì)氧化生長(zhǎng)速率都有影響。例如，高摻雜濃度的硅表面要比低摻雜濃度的硅表面氧化速率快。而且高摻雜濃度的硅表面上的氧化層比在其他層上生長(zhǎng)的氧化層的密度低。
　　另一個(gè)對(duì)氧化生長(zhǎng)速率有影響的是氧化完成后，硅中摻雜原子的分布。我們知道氧化時(shí)O2原子進(jìn)入Si中與Si原子發(fā)生反應(yīng)生成SiO2，問(wèn)題是“在硅轉(zhuǎn)化成二氧化硅的同時(shí)，摻雜原子發(fā)生了什么？”，答案取決于摻雜物的導(dǎo)電類型。N型摻雜物（P、As、Sb）他們?cè)诠柚斜仍诙趸柚杏懈叩娜芙舛?。?dāng)氧化層碰到它們時(shí)，這些雜質(zhì)將進(jìn)入硅中，在硅與二氧化硅之間，就象鏟雪機(jī)推一個(gè)大雪堆一樣，結(jié)果是，N型摻雜物在硅與二氧化硅之間比在晶體里有更高的密度（稱之為二氧化硅的排磷作用）。
　　當(dāng)摻雜物是P型材料的硼(B)元素時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生相反的結(jié)果。即硼原子被拉入二氧化硅層，導(dǎo)致在SiO2與Si交界處的硅原子被B 原子消耗盡（稱之為二氧化硅的吸硼作用）。